据韩国出书物《Hankyung》报谈，准备鄙人个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），瞻望将提供 290 层结构，比该公司于 2022 年头度推出的 236 层第八代 V-NAND 有进一步的提高。

据报谈，三星是通过纠正闪存层堆叠时代达成 290 层垂直堆叠密度的，这种时代依赖于通过在闪存层中加多存储孔来加多层数。这么作念的代价是每个晶圆的数据密度，但加多层数带来了净收益。

报谈第 9 代 V-NAND 的吞并音书开端还称，该公司规画在 2025 年头推出后来续居品--第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 闪存瞻望将达到 430 层，比第 9 代 V-NAND 闪存加多 140 层（第 9 代 V-NAND 闪存比上一代加多 54 层）。

这将使三星与其竞争敌手 Kioxia、SK Hynix、好意思光科技和 YMTC 重新走上正轨，向 2030 年达成 1000 层 3D NAND 闪存的宏伟推敲发起冲击。